本研究将利用有机金属汽相沉积法(MOCVD)有意识地制备组分不均匀的二元和多元Ⅲ-氮化合物外延薄膜材料,探索从纳米到百纳米尺度的组分不均匀结构的生长条件和生长机制,研究氮化物外延材料的发光特性与外延薄膜中组分不均匀结构的关系。我们将使用多种现代化物理测试手段,系统地测试和分析组分不均匀结构的生长规律以及组分不均匀结构的密度、形态和组分比对多元化合物材料光电性质的影响。本研究着眼于探索氮化铟镓铝化合物半导体发光器件在高缺陷密度的条件下仍能高效率长寿命发光的机制,尽最大努力为外延薄膜生长新技术的开发和高效率固体发光器件的研制寻找新的突破口。
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数据更新时间:2023-05-31
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