在我们已经获得毫米级优质氮化铝单晶体的前期研究基础上,探索用物理气相法生长厘米级氮化铝单晶体和大尺寸氮化铝单晶衬底材料的工艺条件和技术手段;其次,对氮化铝单晶体的结晶特性、光电特性等进行分析测试,为下一步用氮化铝单晶体制作紫外光电子元器件和新型特种电子元器件作预先研究。.氮化铝晶体属于直接带隙宽禁带化合物半导体材料,具有高热导率、高击穿场强和高稳定性的特点,在新型高温、高频和大功率电子器件以及紫外
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数据更新时间:2023-05-31
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