Ⅲ-Ⅴ族氮化物的分子束外延生长和发光特性研究

本项目主要研究用分子束外延方法生长Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光材料中氮源问题，研究方法是材料制备和表面分析技术在线结合的原位电子能谱方法。项目实施期间，在用分子束外延方法在GaAs（100）表面上长出优质立方结晶氮化镓的基础上，取得如下成果：1、首次实现了GaAs表面的室温氮化；2、发展了一种独特的氮辉光放电方法并用以取得了良好的氮化效果；3、用类似于辉光放电氮化的方法实现了GaAs表面的辉光放电硫化；4、发展了用碱金属吸附促成氮分子在GaAs表面离解进而实现氮化的新方法；5、自行研制了一种新颖的中空阳极辉光放电装置。发表4篇SCI和EI论文并在国内外学术会议上交流。在国际会议上的交流内容被公开发表的会议总结报告作为创新成果引用。