表面动态过程及表面能量学的高温快速STM研究

基本信息
批准号:19704002
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:12.00
负责人:季航
学科分类:
依托单位:北京大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:贾金锋,盖峥,方胜,边志喜,赵学应,李哓卫
关键词:
扫描隧道显微镜动态过程表面和界面
结项摘要

利用STM这种具有原子尺度分辨率的有力工具,对金属/半导体系统进行了系统研究,对半导体表面的各种动态过程进行了原子尺度的研究。研究的主要方法是利用快速STM对金属半导体系统进行表面形貌和能量学的分析和测试。研究结果表明,对硅,锗半导体表面,除其低指数表面是稳定的以外,某些高指数表面也是稳定的。这对于半导体器件的设计和制造具有指导意义。另外,我们发现许多金属/半导体系统的稳定表面是由许多小面构成的,即小面化过程,这些亚稳或不稳定 搞指数小面构成了稳定的金属/半导体表面。根据目前科技发展的动态,我们在课题的研究中增加了纳米结构,纳米加工和纳米器件的研究内容。对实验设备进行了相应的改造。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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