MIG磁头所用溅射合金薄膜材料的研究

基本信息
批准号:58870055
项目类别:面上项目
资助金额:2.50
负责人:方光旦
学科分类:
依托单位:中国科学院计算技术研究所
批准年份:1988
结题年份:1990
起止时间:1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:宋庆山,熊鑫恩
关键词:
高记录密度高BS合金溅射膜磁头极尖饱和
结项摘要

研究了亚稳相和界面作用下的磁化组态,包括面心立方铁和猛,以及铁-铜,铁-金,铁-锑,和钴-猛等多层膜的外延膜的磁性。同时还发展的基于第一原理计算决定磁交换作用大小,并进而计算磁性相变的方法,计算了多层膜的居里点随厚度的变化。在磁各向异性研究中,也就一维情况,讨论了轨道关联的重要影响。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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