金属硅化物／硅异质结构固相外延方法、机理和应用研究

本项目研究成功利用多种中间层来诱导金属硅化物的固相外延（IMSPE），通过对IMSPE机理的研究、中间层的合理设计以及工艺的优化，获得了具有较高外延质量二硅化钴薄膜，其RBS沟道最低产额处于国际先进行列。项目对IMSPE金属硅化物薄膜的结构特性、电学特性以及金属硅化物/硅界面电学特性等方面进行了较全面的研究，取得了多顶创新成果。研究结果表明IMSPE生长的金属硅化物薄膜具有比普通多晶金属硅化物薄膜小得多的表面、界面粗糙度以及好得多的高温稳定性。项目将IMSPE金属硅化物的种类从二硅化钴拓展到新型的二硅化钴镍体系。项目对IMSPE二硅化钴薄膜在新型器件结构和CMOSA工艺中的应用进行了初步的探索。