纳米结构的硅发光二极管

信息时代的电子技术正孕育着一场新的革命，以光子代替电子作为信息和能量的载体将超越电子载体的功能极限，把信息高科技推向大规模集成化和超高速度、超大容量的宽带范畴.为此需要研制能够发射、传导、接收和操控光子的有源器件并实现其与微电子器件在同一系统芯片上的集成。硅是构成微电子器件和集成电路的物质基础，但体硅材料难以制成光发射器件。与体硅材料不同，基于能带剪裁方法制备的纳米结构的硅突破了体硅材料不能有效发光的传统禁区，呈现出强的室温发光和光放大效应，为硅基光发射器件的研制与开发开创了一个崭新的技术思路和应用前景。本项目组将基于多年来在硅基材料研究方面取得的丰富经验和最新进展，紧紧抓住硅发光从材料到器件即将取得重大突破的关键时机，综合我们在此方面的创新思想和技术优势，积极开展室温有效发光的纳米硅发光二极管的研制和与之相关的物理工作，力争在硅基发光应用基础研究方面取得前瞻性的、具有原创水平的科研成果。