硅基ZnO纳米线发光二极管的制备与表征

针对目前ZnO薄膜发光二极管光辐射复合效率低的问题，提出利用ZnO高结晶质量纳米线同质结发光二极管pn结界面陡峭的特点实现高效率ZnOpn结的电注入发光。本项目采用化学气相沉积这种简便的方法在导电硅衬底上制备无催化的ZnO纳米线同质pn结光发射二极管。利用砷及磷的高蒸气压化合物做为掺杂剂进行p型ZnO纳米线的掺杂制备，与氢掺杂的n型ZnO纳米线形成ZnO同质纳米线pn结，并制备出ZnO纳米线发光二极管原型器件。重点研究Si衬底上高度取向的ZnO纳米阵列的制备，n型和p型ZnO纳米线的制备与表征以及纳米结构下ZnO同质pn结的载流子输运特性及光电特性，解决电极制备等难题。目标是将导电Si衬底的低成本与ZnO纳米线的高质量、高光学性质相结合制备出高效、低成本的ZnO纳米线发光二极管。该项目的实施将为实现低成本、高效率、可集成的ZnO发光二极管甚至于ZnO激光器奠定基础。