取向受控的FePt和CoPt纳米复合膜超高密度垂直磁记录介质的研究

采用超高本底真空磁控溅射与快速退火相结合的方法，在FePt/Cu /M（M=Ag, C或B2O3）和CoPt/B/M（M=Ag, C或SiO2）多层膜初始结构基础上,制备（001）取向fct结构FePt和CoPt基纳米复合膜。重点研究制备态薄膜中各层厚度与总膜厚对退火后薄膜的取向与相变退火温度的影响，优化膜系设计；进而研究膜系设计参数和制备工艺参数对薄膜微观结构和磁性的影响；同时研究薄膜磁性能的蒙特-卡罗模拟方法，并将理论结果与实验结果进行比较。通过以上研究揭示膜系设计、工艺参数与薄膜微观结构、宏观磁性之间的有机联系，获得具有良好（001）取向、退火温度低、颗粒尺寸小于10 nm且分布均匀、颗粒间交换耦合作用很弱、矫顽力大于5 kOe的超高密度垂直磁记录用FePt和CoPt基纳米复合膜。