氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究
基本信息
批准号：10174072
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：傅竹西
学科分类：
依托单位：中国科学技术大学
批准年份：2001
结题年份：2002
起止时间：2002-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：傅竹西,林碧霞,刘磁辉,廖桂红,周自金,张彬,朱俊杰,段理
关键词：
氧化锌薄膜pn同质结光电子特性
结项摘要
本课题主要研究ZnO薄膜p-n 同质结的制备及结区载流子光电子特性。ZnO光电子薄膜是继GaN后新兴的短波长材料，目前已成为热门研究课题。而克服自补偿实现材料反型，并制备p-n结，是提高ZnO实用性的关键。我们在ZnO薄膜紫外光发射和光探测性能研究及p-n结制备方面已有一定基础，将深入研究p-n结制备工艺，它的结构和能级、载流子输运和光跃迁性质任⒐刍怼
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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