氧化锌接触特性的研究及其在光电子器件中的应用

在ZnO薄膜的极性控制生长以及p型掺杂研究获得初步成功的基础上，我们利用原位超高真空电子束/磁控溅射薄膜沉积技术，研究不同极性、不同载流子类型及其浓度对金属(透明导电薄膜)/ZnO接触特性的影响及机制，探索它们在各类光电子器件中的重要应用。在利用分子束外延法制备的Zn极性和O极性清洁表面上原位沉积金属Ni、Au、Pt、Ir以及Ti、Al、Ru、In2O3、RuO2、IrO2等电极，对比研究不同极性表面态对欧姆接触和肖特基接触特性的影响；通过不同的掺杂工艺以及掺杂浓度调节ZnO薄膜费米面的位置，从而研究ZnO功函数对金属(透明导电薄膜)/ZnO接触特性的影响与机制，探索形成良好欧姆接触以及稳定肖特基接触的优化制备工艺。由于良好欧姆接触与稳定肖特基势垒的形成分别是高效率ZnO基发光二极管以及MSM型紫外探测器的关键技术，因此本课题具有重要的科学意义与应用价值。