硅（100）表面无电沉积银的电化学和面结构分析研究
基本信息
批准号：20073017
项目类别：面上项目
资助金额：16.00
负责人：王春明
学科分类：
依托单位：兰州大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：祝立,佟浩,包永军,杜永令
关键词：
无电沉积Ag电化学和面结构分硅（100）
结项摘要
用化学刻蚀和预镀催化晶籽元素后的硅片，在以Ag＋与有机还原剂如肼、醛为主配方的溶液中，使Ag以自催化形式无电沉积于硅表面形成0.18微米以下厚度膜。用速浸电位实时跟踪法研究Ag在硅片表面形成单层和多层时的热、动力学特征。以STM为主研究Ag晶体增长方式和け砻娼峁埂Ｎ糜谖蠢锤咴怂闼俣鹊募扑慊砥骷俺蠊婺＜傻缏凡牧献龌⊙芯俊?.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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