赝异质结硅双极晶体管的研究

提出并实现了硅赝异质结结构，在此基础上研制成功了三种新型器件：（1）采用外延基区（分子束生长）技术，研制成功了fT≥10GHz的硅双极晶体管，电流增益HFE≥20，其区宽度WB≤100mm；（2）采用BSA工艺技术，研制成功了基区宽度小于100nm的超薄基区超小尺寸硅双极晶体管，fT计算值大于10GHz；（3）研制成功了一种可在液氮温度下工作的硅赝异质结双极晶体管，77KFHFE=20～100，fT≥400MHz，并且在-55℃～125℃范围内HFE温度稳定性好，高温上升率HTR和低温下降率LTF值均小于20%。给出的BSA工艺与PCT工艺兼容性良好。在理论研究方面发表了多篇学术论文，在实践成果方面已有1项成果通过了部级技术鉴定。