PNP型砷化镓基异质结双极晶体管研究

全面完成了研究任务，研制出性能优良的GaAs基HBT ，β高于90，fT和 fmax分别超过22GHZ和33GHZ（射极2×15μm（2））。达到了国外同类器件研究水平，填补了国内空白。获得下述创新和突破。理论方面：提出了实施了In组分缓变的InGaAs基区，有效减小了空穴基区渡越时间；建立了Cbc解析模型，量化了其与器件结构及电流的关系；研究了基区非合金接解阻抗，揭示了其与掺杂及频率的规律；分析了各基极电流对β的影响，指出了主要影响因素。工艺技术方面；研制出新腐蚀液，成功实现了选择性刻蚀；研究摸索出新的自对准、基极金属化及微空气桥隔离技术，减小了集电结电容、基区电阻和基极接触电阻。上述研究有效提高了器件电流增益和高频特性。