低驱动GaAsSb应变基区双异质结双极晶体管分子束外延材料特性的研究
基本信息
批准号：50572120
项目类别：面上项目
资助金额：27.00
负责人：周均铭
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李志华,刘林生,吴曙东
关键词：
HBTGaAsSbMBE
结项摘要
在GaAs衬底上，在GaAsSb的临界厚度内研究以GaAsSb为基区的AlGaAs/GaAsSb/AlGaAs双异质结双极晶体管的分子束外延材料的生长特性，研究As和Sb的耦合机理及不同组分的GaAsSb生长特性，研究P型Be在基区GaAsSb中的扩散行为，同时研究抑制Be向发射极和收集极的扩散，生长出As终止的界面以抑制Sb和As原子在界面的交换以获得界面突变的异质结，生长出高质量的HBT外延材料，研究材料结构对HBT器件的影响，为低功耗高频晶体管的应用打下坚实的基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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