用于光纤通讯红外探测的HgCdTe光电性质研究

基本信息
批准号:69476015
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:褚君浩
学科分类:
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:汤定元,李标,陈新强
关键词:
光电二极管碲镉汞(HgCdTe)光钎通讯
结项摘要

采用红外吸收、荧光、载流子输运测量等手段对大组分HgCdTe材料的光电性质进行了创新性研究。根据Kane理论推导了大组分HgCdTe能带色散关系的对数近似式;首次直接观测到了HgCdTe的晶格振动模,发现了基本征吸收的规率;发展了定量迁移率谱方法分析大组分HgCdTe中多种载流子的载流子浓度和迁移率,结合其它测量,获得了纵向组分不均匀HgCdTe薄膜的电学参数及探测器表面积累层电子态的基本的物理数据;此外,还对HgCdTe中的杂质如As、Sb、Fe等以及pn结的光电行为进行了较详尽的分析。这些结果部分被收入landolt-Bornstein手册,并在1996年国际SPIE会议上做为邀请报告报道。其对光纤通讯红外探测器的制备具有很大的参考价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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