新型氧化铜基p型氧化物半导体薄膜的研究

P型透明氧化物半导体薄膜是透明电子学发展的瓶颈材料之一。本项目提出了基于我们近期在p型透明氧化物半导体靶材方面的探索，利用原理上为脉冲电子束的渠道火花烧蚀法研究开发具有层状晶格结构的氧化铜基CuMO2(M=Mg,Ag,Ni等)p型透明氧化物半导体薄膜的设想；拟通过掺杂离子的电子结构及晶格结构的设计，拓展氧化铜基透明氧化物半导体材料体系；研究具有p型导电特性的靶材的合成技术和性质；研究渠道火花烧蚀法制备薄膜的条件，优化具有良好结晶性和光电特性的透明氧化物半导体薄膜的制备参数；系统分析各种制备条件对薄膜成分、结构及其性能的影响，揭示它们之间的内在相互关系；阐明在保持光学透明性的同时，通过掺杂离子种类、离子浓度和氧化程度等实现控制材料导电特性的机理；深入分析和理论计算所制备薄膜的电子态密度和能带结构，揭示p型氧化物半导体的掺杂机制和载流子输运机理。本项目是一项具有原创性和先进性的课题。