磁场下准一维纳米宽禁带稀磁半导体的制备及物性研究

半导体自旋电子学同时利用了电子的电荷和自旋属性，是当今材料研究领域中的热点。准一维纳米宽禁带稀磁半导体材料既是低维纳米材料中物理问题研究的需要，也是发展低功耗自旋电子器件的基础。本项目采用溶液法，在较低的温度下制备准一维纳米宽禁带稀磁半导体，同时在生长过程中引入外磁场，研究不同的磁场条件对准一维纳米宽禁带稀磁半导体的形貌、取向性、微结构等各方面的影响，并进一步研究磁性离子掺杂的均匀性，提高居里温度，对其中磁性的来源作出合理的解释。为磁场下的准一维纳米材料制备科学研究积累实验数据，为准一维纳米稀磁半导体材料在相关领域的可能应用提供实验基础。