半导体芯片中Cu互联线廉价胶水材料的原子层沉积前驱体分子设计与制备

本项目针对当今Cu互联线的胶水层材料Ru的价格昂贵这一导致最新一代芯片技术不能广泛应用的关键问题，采用计算模拟方法研究设计TaN与Cu间的廉价胶水层材料的原子层沉积（ALD）前驱体。通过改变胺基脒盐型金属前驱体的配体类型和结构进行胶水层金属前驱体分子的稳定性的设计，模拟前驱体在TaN表面沉积过程的热力学效应和动力学机理及其过程，来正确评价前驱体的表面反应活性，以期计算设计获得TaN与Cu间的廉价胶水层材料的ALD前驱体。从而促进ALD技术在当今以TaN为阻挡层材料的芯片制备技术工业中的大规模应用；同时，通过系统深入的ALD过程的热力学行为和动力学机理的研究，形成一套完整的ALD前驱体的设计理论和方法，为ALD技术的广泛的应用提供理论参考和指导。