颗粒硅带衬底上的大晶粒多晶硅薄膜研究

通过快热化学气相沉积（RTCVD）法沉积多晶硅薄膜的研究，优化多晶硅薄膜外延沉积的工艺条件。在此基础上，以低品质的颗粒硅带为衬底进行多晶硅薄膜的沉积，研究颗粒硅带衬底晶体缺陷、杂质对多晶硅薄膜的晶体结构、组份、电学、光学特性的影响。通过对颗粒硅带和硅活性层之间的隔离层的研究，确立在颗粒硅带衬底上制备高质量的大晶粒尺寸多晶硅薄膜的理论及工艺。