GaAsIC数字微波技术基础研究

GaAsIC数字微波技术基础研究，采用人工智能电路优化设计技术和三维时域电磁场全波模拟方法，对GaAsIC数字微波及高速IC中的关键问题进行了基础研究。在国内首先采用电路的自举反馈原理，提出了一种新的全部由耗尽型GaAsMESFET构成的单电源GaAsMECFET直接耦合逻辑FET单元电路。新型IC单元比其它各种GaAsIC单元有明显优点。本项目国内首先较为系统地研究了对称凝缩节点和扩散节点二种三维时域电磁场全波模拟传输线矩阵方法及其在数字微波领域中的应用。提出了数值模拟方法中数值截止频率对波的数值调制效应。研制成功面向集成电路芯片结构的高速数字传输特性的三维电磁场域模拟器。完成了七篇研究论文。有一定的创新、在国内居领先地位。