基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究

应变硅材料的高载流子迁移率和绝缘体上硅（SOI）材料的低寄生结电容及全耗尽等优势，使得直接在绝缘体上的应变硅（Strained Si （Directly） On Insulator, SSDOI/SSOI）成为将来理想的硅基微电子材料。目前制作SSDOI/SSOI材料都需要在硅衬底上进行锗硅浓度比例渐变的锗硅外延生长的衬底作为应变模板即实际衬底（virtual substrate），然后再外延硅产生应变，最后利用层转移技术实现SSDOI制作。昂贵的锗硅外延及其批量生产的限制加上目前较高位错密度，限制了SSDOI的应用。因此寻找与现有硅工艺技术兼容且低成本无位错SSDOI材料制备方法有极其重要的意义。本研究拟避免昂贵的锗硅外延工艺，用抛光多孔硅与等离子体辅助键合技术相结合，用等离子体键合界面产生的大量水实现多孔硅内氧化，氧化的多孔硅侧向膨胀带动顶层硅拉伸应变，从而获得无位错SSDOI材料。