III族氮化物半导体单根纳米线微腔电致发光和激光
基本信息
批准号：10374004
项目类别：面上项目
资助金额：31.00
负责人：戴伦
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：吉云亮,李宇杰,乔永平,徐爱国,霍海滨,刘仕锋
关键词：
微腔电致发光半导体纳米线III族氮化物半导体
结项摘要
以III族氮化物半导体这一在光电子领域中极有潜力的新型材料系为研究对象，采用基于气-液-固生长机制的化学气相沉积(CVD)和激光辅助催化生长(LCG)法，在p-Si衬底上生长具有典型光学微腔结构的n型单晶纳米线，并采用先进的纳米加工手段，制备III族氮化物半导体纳米线电致发光器件。结合申请者在III族氮化物半导体光学微腔和Si基纳米材料电致发光以及微区荧光测量方面多年的研究经验，研究此类微腔器件的电致发光及激光特性。这种生长在Si衬底上的微腔发光器件易于实现与Si电子的集成.此外,光学微腔作为一种新型的高效发光器件，其研究本身将具有重要的科学意义和实用价值。本项目从材料系的选择到研究方向都具有创新性，是进一步实现纳米激光阵列的基础，在光电集成、光互连、光信息处理等方面具有广泛的应用前景.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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