异质结源漏6H-SiC N沟MOSFET的研究
基本信息
批准号：60476007
项目类别：面上项目
资助金额：22.00
负责人：张义门
学科分类：
依托单位：西安电子科技大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：汤晓燕,郜锦侠,郭辉,冯建峰,赵艳英
关键词：
肖特基势垒MOSFET6HSiC异质结
结项摘要
SiC是一种新型的半导体材料，由于它具有优异的物理和化学性能，所以在高频、高温、高功率和高抗辐照的器件和集成电路中有着很好的应用前景。但是目前国际上多采用的是常规MOSFET的结构，存在着沟道载流子迁移率和跨导低的问题，源漏区需要离子注入和高温退火，工艺难度大。特别是常规的结构很难研制出性能良好的SiC PMOSFET。本项目提出一种新颖的结构，用异质结源漏代替常规MOSFET的PN结源漏，克服了源漏需要离子注入工艺，工艺简单，而且不会因引起二次缺陷，有利于克服侧墙问题和常规结构中的源漏串联电阻对器件带来的不利影响
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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