非晶态碲镉汞薄膜制备与光电特性研究
基本信息
批准号：60576069
项目类别：面上项目
资助金额：15.00
负责人：姬荣斌
学科分类：
依托单位：昆明物理研究所
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：赵俊,唐利斌,宋炳文,李全保,杨玉林,吴刚,荣百炼,李亚文,杨彦
关键词：
表征。光电特性薄膜材料非晶态半导体碲镉汞
结项摘要
采用密度泛函（DFT）和密度泛函平面波赝势方法计算不同组分非晶态碲镉汞能带结构，据此遴选具有显著光电效应的非晶态碲镉汞材料。利用傅立叶转换红外光谱仪、椭圆偏振光谱仪、UV-Vis分光光度计等光学分析手段对非晶态碲镉汞薄膜进行光学特性表征，分析薄膜组分结构；使用AFM和X射线衍射仪进行薄膜的表面形貌及结构分析；借助TOF、变温变磁场Hall电学测试手段进行薄膜的电学特性表征，研究薄膜光电导机理。在此
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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