显微偏析元素导致特定结构界面形成的可能与机制

基本信息
批准号:59671034
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:朱静
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:朱静,金涛,谬宇,程志英
关键词:
电荷密度分析显微偏析界面
结项摘要

采用高空间分辨分析电子显微学、定量会聚束电子衍射方法从电子结构及元素的角度研究了界面元素偏析及其对界面结构的影响。在多晶Ni3中,加入适量的硼,B与Ni形成强的Ni—B—Ni键导制了晶界Ni—B共偏聚;B不消弱Ni—Al键,因而只有在过Ni的Ni3Al中,才能实现Ni无序晶界。在碳纤维/镁合金复合材料中,碳纤维表面的SiC—SiO2非晶涂层使在界面处出了Mg的偏聚,与表层化学反应形成大量细小的MgO晶粒,松弛了界面应力,增强了界面处结合强度。通过微量元素的加入及合适的工艺制度可以改变界面结构。本项目发表论文13篇,其中SCI收录9篇,EI4篇。国际会议分会邀请报告1篇,口头报告3篇,国内会议大会报告1篇。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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