稀土Ce,Dy掺杂O+注入硅基薄膜蓝色发光特性的研究

采用金属蒸气真空孤离子源注入技术,将稀土离子Ce,Nd,La,Er注入硅单晶片和热氧化硅片中,实现了在硅基材料上的强束流大剂量注入。提高了Er离子在硅基体中的激活浓度，达到体浓度的10%，是目前文献报道的最大值，获得了掺Er硅薄膜在1.54μm波段的高效发光。经XPS分析 ，Er离子以固溶体形态存在于硅和二氧化硅基体中，掺Ce、Nd、La的硅基掺杂层有紫蓝光发射，荧光强度随掺杂浓度增加而增强；获得了红光激发的紫蓝光发射上转换荧光光谱，表现掺稀土硅基薄膜的多光子吸收特性。还进行了SEM、XRD、RBS测试，就荧光效率与物相结构及热处理温度的相关性进行了研究探讨，有所发现，有所创新。在国内外学术刊物上发表论文十余篇。