InGaAlN四元系材料生长及其短波长发光机理研究
基本信息
批准号：60276010
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：于彤军
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：吴名枋,丁晓民,秦志新,杨志坚,李忠辉,陆曙,周劲,胡成余
关键词：
铟镓铝氮短波长发光量子阱
结项摘要
短波长发光材料和器件有着广泛而迫切的应用需求。本项研究，运用MOCVD技术在蓝宝石衬底上，生长InGaAIN四元系量子阱结构，系统研究InGaAIN生长过程和发光特性，探讨高质量InGaAIN四元系合金短波长发光层生长方法；研究AHnGaN多量子阱结构所特有的短波长发光机理，为实现高效率的短波长发光器件提供基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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