图形化硅衬底上的锗硅量子点的可控生长和特性研究

异质外延生长过程中的自组织量子点是目前小量子体系研究的一个重要对象。在平面上随机形成的自组织量子点由于其空间分布的不均匀往往导致了其尺寸的不均匀和其间相互作用的不均匀。这些不均匀性阻碍了对自组织量子点物理特性的研究及其应用。本课题利用锗硅系统来研究表面微结构，纳米尺度的一维沟道或二维小坑结构，和生长条件对自组织量子点组分、尺寸和空间分布的影响。研究表面微结构对吸附原子迁移的影响，促进对异质外延生长的内在机理的认识；探索在具有表面微结构的Si 衬底上的GeSi量子点的可控生长条件，实现GeSi量子点的可控有序生长； 研究空间有序的量子点的物理特性，包括局域于不同量子点内载流子的耦合特性随量子点结构和空间分布的关系；促进适用于硅基上的集成化芯片的新型元器件的研究。