β碳化硅是众多碳化硅同质异型体中唯一的立方结构晶体,且截流子迁移率最高,少子寿命可控性最强,是用以开发高温大功率器件和短波长发光器件的理想材料。但是,β碳化硅体材料的生长问题一直未得到很好解决,无论是用升华法还是气相生长法都未长出过尺寸超过毫米级的晶体。本项目研究用硅衬底β碳化硅外延膜从饱和溶液生长β碳化硅薄片的方法。
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数据更新时间:2023-05-31
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