β碳化硅是众多碳化硅同质异型体中唯一的立方结构晶体,且截流子迁移率最高,少子寿命可控性最强,是用以开发高温大功率器件和短波长发光器件的理想材料。但是,β碳化硅体材料的生长问题一直未得到很好解决,无论是用升华法还是气相生长法都未长出过尺寸超过毫米级的晶体。本项目研究用硅衬底β碳化硅外延膜从饱和溶液生长β碳化硅薄片的方法。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
肥胖型少弱精子症的发病机制及中医调体防治
外泌体在胃癌转移中作用机制的研究进展
多能耦合三相不平衡主动配电网与输电网交互随机模糊潮流方法
萃取过程中微观到宏观的多尺度超分子组装 --离子液体的特异性功能
早孕期颈项透明层增厚胎儿染色体异常的临床研究
碳化硅热解石墨烯衬底上异质外延金刚石的生长机制研究
硅上单晶碳化硅薄膜的生长和结构研究
硅基外延生长优质单晶碳化硅薄膜与缺陷控制方法研究
碳化硅表面的石墨烯外延生长研究