根据半导体超晶格中的量子隧道效应及激子的光学非线性效应优化设计出ZnTe/CdZnTe/ZnTe/ZnSe量子阱结构。通过对ZnTe/CdZnTe/ZnTe多量子阱的激子光学非线性及其与ZnSe层的量于逅淼佬вΦ难芯浚竦檬椅路擅胄滦蚙nSe光双稳开关器件,探索提高半导体光双稳器件厮俣鹊牡挠行揪逗屠砺垡谰荨1鞠罟ぷ鞫允迪中滦透咚俟馑绕骷兄匾庖濉
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数据更新时间:2023-05-31
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