CdZnTe-ZnTe多量子阱F-P光双稳的研究

用低压MOCVD优化生长了CdZnTe—ZnTe多量子阱材料，经室温激子吸收和激子发光和测量表明具有高质量；用泵浦—探测技术和Z扫描方法研究了该材料的激子光学非线性效应，研究结果表明该材料的激子光学非线性起因于激子态的相空间填充。首次成功地制备出了CdZnTe—ZnTe多量子阱F—P腔光双稳器件，在该器件上首次观察到皮秒量级的光开关特性，其主要非线性机理为CdZnTe—ZnTe多量子阱的激子饱和吸收引起的激子折射率变化。根据CdZnTe—ZnTe多量子阱的能带结构及光学非线性提出了ZnSe—CdZnTe—ZnTe复合量子阱结构，为实现该材料体系的飞秒光双稳提供了重要的理论依据及实验途径。