氧化锌纳米线阵列的制备及其在量子点敏化太阳能电池上的应用

基本信息
批准号:51172235
项目类别:面上项目
资助金额:60.00
负责人:胡柱东
学科分类:
依托单位:中国科学院过程工程研究所
批准年份:2011
结题年份:2015
起止时间:2012-01-01 - 2015-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王红,杨梅,赖小勇,刘媛媛,杜江,王硕,杨乃亮,唐红杰,崔颖
关键词:
量子点敏化氧化锌太阳能电池阳极氧化
结项摘要

本项目以太阳能光伏电池的需求为背景,针对目前氧化锌基太阳能电池转换效率较低且易被腐蚀等缺点,提出低温阳极氧化法制备氧化锌纳米线阵列作为光阳极,通过掺杂提高氧化锌光阳极的抗腐蚀性能,结合半导体量子点复合敏化技术提高光捕获效率,实现太阳能电池性能的改善;研究光阳极结构对电池性能的调控作用。首先在导电基底上沉积锌,通过阳极氧化制备具有较大的粗糙表面的氧化锌纳米线阵列,提高量子点的吸附量;利用入射光在纳米线阵列中形成多次反射,增强光子捕获;通过在阳极氧化过程中引入锡或钛,制备锡或钛掺杂的氧化锌纳米线阵列,从而提高其化学稳定性并且不显著影响其能带结构和电学性能。通过系统地研究氧化锌纳米线阵列太阳能电池的光电转换性能,揭示影响光生电子分离与收集的本质因素,探明光阳极结构与电池效率之间的构效关系,为最终实现高性能的太阳能电池的装配提供依据。

项目摘要

本项目研究锌的阳极氧化工艺,可以快速、大面积制备超长ZnO纳米线阵列,以及以此为基础研究其在太阳能电池方面的应用。纳米线直径在50-200 nm之间,长度超过100微米(2小时)。研究表明纳米线主要有5-10nm的纳米晶组成。我们详细研究了实验参数对反应结果的影响。实验表明,反应温度对纳米线阵列的密度有显著影响。温度越低,纳米线的密度会显著提高,但温度过低纳米线薄膜易开裂。温度过高则得不到纳米线结构。最佳反应温度为5度。工作电压过高容易诱发薄膜开裂,过低则得不到致密ZnO纳米线薄膜,最佳工作电压为10V。抛光处理也可以显著提高纳米线阵列的密度。抛光可以消除Zn表面的不均匀性,增加初始阶段腐蚀坑的密度,进而提高纳米线阵列的密度。对纳米线阵列薄膜的光学吸收研究表明,随着纳米线密度的提高,其光学吸收显著增强,这有利于在DSSCs中的应用。单根纳米线电学性能研究表明,ZnO纳米线具有较好的电学输运性能,这与该体系中电子平均自由程较小有关,晶界散射对电学输运影响较小。阳极氧化的中间产物具有单晶结构,但具体结构尚不清楚,还需进一步研究。推测应当为一种新的碱式碳酸盐。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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