晶体管有源区归一化面积的温度谱称为晶体管热谱。晶体管热谱、热像、热阻是表征其热学特性的三种主要方式。在结温分布不均匀时,依据标准电学方法测算出来的结温因测量电流的大小而不同,小电流测出的结温高,大电流测出的结温低,这就是小电流过趋热效应。分析小电流过趋热效应的响应曲线以到晶体管热谱,与从联机实验得到的热像图中提取出的热谱对比,研究晶体管热谱及其所用数理模型与结温、热阻、功率、电学热学性能和参数、安全工作区的概念和定义、可靠性和寿命的内在关系的学问称为晶体管热谱学。晶体管热谱学将更新晶体管最高允许结温、耗散功率的概念和定义,给出峰值结温和有效面积,给出按安全等级标注的安全工作区新图,无损伤检测芯片焊接的可靠性;提出用晶体管热谱分析方法替代国际电工委员会热阻测试标准的参考文本,从根本上解决现行权威标准"假设结温分布是均匀的"和"这个假设可能是不成立的"这一举世公认的矛盾。
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数据更新时间:2023-05-31
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