本课题将主要研究制备高质量的多层Ge纳米晶(量子点)/Si结构薄膜材料,在其基础上研制光垂直入射硅锗量子点红外探测器(QDIP)原型器件,为发展高性能硅锗光电子器件提供科学依据。同时,本课题以硅锗体系为例,提出通过选择再结晶的方法来大幅度提高纳米结构材料的质量和性能的新思路和途径。.具体工作上,研究低压化学气相沉积生长条件参数(生长温度、气氛、压强、掺杂等)对非晶硅及锗纳米晶的形态控制特征,制备高
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数据更新时间:2023-05-31
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