本课题详细地研究了水热法制备多孔硅的工艺技术,通过控制反应条件可分别获得红(680nm)、蓝(430nm)和紫外光(370nm)发射的多孔硅。提示了多孔硅中纳米硅粒具有严重的晶格畸变,它与多孔硅发光强度随存放时间延长而衰减的机理,提出了在多孔硅形成过程中采用金属离子钝化纳米硅粒表面硅悬键的办法来减少非辐射复合中心的密度,从而稳定和增强多孔硅的发光。实验中观察到了金属导电性的导带分裂相关的光发射,证实了有关理论计算结果。利用多孔硅中宽度涨落的硅柱制备了硅量子点超晶格,观察到了金属导电性的异常输运性质。还把水热技术发展成为一种制备 β-FeSi2量子线的方法。
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数据更新时间:2023-05-31
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