GaAs/Si兼容集成电路的设计理论
基本信息
批准号：68876207
项目类别：面上项目
资助金额：2.50
负责人：庄庆德
学科分类：
依托单位：东南大学
批准年份：1988
结题年份：1991
起止时间：1989-01-01 - 1991-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张家慰,夏海良,童勤义,金功九,李明祥,杨从光,金同兴
关键词：
砷化镓集成电路兼容
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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批准年份：1986
资助金额：3.50
项目类别：面上项目
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