InP基HEMT复合沟道的优化设计与模型建立
基本信息
批准号：60276021
项目类别：面上项目
资助金额：26.00
负责人：张海英
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘训春,李无瑕,曹振亚,牛立华,石华芬,钱永学
关键词：
高电子迁移率磷化铟基复合沟道
结项摘要
对能带结构和载流子输运机制进行研究，采用全新沟道结构，优化InP基HEMT的复合沟道，使得器件的高频特性与大功率性能得以兼顾。对InP基复合沟道HEMT建模，并对器件进行参数提取，为器件在高频大功率电路的应用奠定基础，获得可用于毫米波段功率放大电路的固态器件结构是军事通讯领域的需求，也能为民用高频器件国产化打下基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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