透明导电金属氧化物薄膜的P型掺杂研究

基本信息
批准号:60576063
项目类别:面上项目
资助金额:22.00
负责人:季振国
学科分类:
依托单位:浙江大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨永德,袁骏,席俊华,王超,赵士超,明亮,袁苑,朱玲
关键词:
掺杂机理透明导电共掺杂P型金属氧化物
结项摘要

透明导电金属氧化物(TCO)已经被广泛地应用在各种光电器件中,如液晶显示,智能窗口,光伏器件等,但目前商品化的TCO膜都是电子导电的n型薄膜。但在很多情况下,采用空穴导电的p型TCO不但可以简化光电器件的结构,提高器件的效率,而且可以利用p型的TCO与n型的TCO薄膜结合制作透明的光电器件。目前虽然已经有几种p型导电的金属氧化物透明导电薄膜,但对p型透明导电金属氧化物薄膜中受主的掺杂机理、原生施主的抑止、杂质-缺陷的相互作用以及空穴在薄膜内的输运情况等基本问题还没有进行深入的研究。本项目计划对以上几个科学问题展开系统、深入的研究,并通过共掺杂技术提高受主的有效浓度,以获得性能稳定、空穴浓度高、电阻率低的p型透明导电金属氧化物薄膜。因此本项目既具科学研究价值,又有非常重要的应用前景。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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