磁场下酞菁薄膜的取向生长及其光电性能
基本信息
批准号：50273033
项目类别：面上项目
资助金额：8.00
负责人：季振国
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2002
结题年份：2003
起止时间：2003-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：袁骏,朱玲,刘坤,杨成兴,向因,宋永梁,王超
关键词：
金属酞菁配合物磁场取向复合膜
结项摘要
利用外磁场及真空蒸法沉积技术制备分子取向可控的金属酞菁薄膜及取向调制复合膜；研究外磁场下酞菁薄膜取向生长的规律性；研究磁场下生长的酞菁膜及复合膜的光电性能。可望提高薄膜内分子取向排列的一致性，改善薄膜的晶体结构，获得性能可调的取向调制复合酞菁薄膜，实现对薄膜光电性能的调制。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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