金属硅化物的低维人工结构与物性研究

金属硅化物作为长电子平均自由程、低电阻率、高热稳定性的材料在集成电路领域作为金属互连线和栅极，替代目前的铝、铜布线和多晶硅栅，实现电路的高可靠性与快速功能具有重要意义。为实现该材料应用于未来的纳电子电路，理解纳米尺度的金属硅化物的物理性质尤其重要。本项目研究金属硅化物低维人工结构的制作与物理特性。结合超高真空磁控溅射制备TiSi2、NiSi和CoSi2等过渡金属硅化物与聚焦离子束和电子束光刻等微加工技术，制作纳米尺度过渡金属硅化物的准一维和零维人工结构，研究它们的物性随尺寸变化的规律,探索该材料低维体系基于长电子平均自由程的强电子相互作用可能导致的相变和量子效应，及外场（磁场）的影响。建立低维金属硅化物的结构与物性的关系，促进该材料在未来纳电子学领域的应用。