硅基铁电存储器构架中金属间化合物导电阻挡层研究

本项目以实现铁电器件与硅衬底集成的金属间化合物阻挡层的研究为目的，通过磁控溅射法在硅衬底上制备Ti-Al薄膜，采用电镜、X射线衍射等研究Ti-Al上面高温生长氧化物（如：La-Sr-Co-O）薄膜前后的结构以及输运性质等，系统研究Ti-Al薄膜用作导电阻挡层的规律。在硅衬底上制备其它体系高温结构的金属间化合物（如Ni-Al）薄膜，通过改变溅射功率，沉积气压等参数调制薄膜的结构和性质，研究可用于硅衬底和铁电薄膜集成的新的阻挡层材料。借助于沉积工艺和材料结构的研究，探索制备外延导电阻挡层的可能性。研究Si衬底上复合集成的氧化物/PZT/氧化物/金属间化合物异质结的生长过程、结构和物理性质。应用微加工等手段构造铁电电容器并按实用铁电存储器的要求进行极化强度、脉宽依赖性等相关表征。本项目的完成可以为金属间化合物阻挡层的研究提供基础，发现新的导电阻挡层材料，促进硅基铁电存储器和铁电器件的发展。