二维硅光子晶体平板的一定部位嵌入P-i-N,通过外加电场作用,随着自由载流子注入光子晶体折射率差发生改变,使光子禁带产生平移,利用光子晶体的光子禁带边缘来实现对光传输的控制,达到对信号调制的目的,实现光子晶体光强度调制器。在此过程中,建立光子晶体调制器的理论分析模型;研究光子晶体有效折射率随自由载流子注入的变化范围,以及光子禁带的平移范围;研究利用光子晶体的光子禁带边缘进行信号调制的机理,以及对应
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数据更新时间:2023-05-31
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