氮化铟基化合物半导体量子结构研究
基本信息
批准号：60476047
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：戴宪起
学科分类：
依托单位：河南师范大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘自信,危书义,王广涛,楚兴丽,黄凤珍,琚伟伟,吴新华
关键词：
电子结构表面与界面激子氮化铟半导体异质结
结项摘要
InN是目前人们最赶兴趣的重要课题，最新研究表明，InN具有0.7-0.8eV的直接带隙，而且它不同于一般半导体，在InN的表面附近有大量的电荷积累。这些特性使得它在电子元件制造中获得良好的金属-半导体接触更为容易，在光电子器件、红外探测器、低成本太阳能电池及短波半导体激光器方面具有诱人的应用前景。该项研究主要从理论上研究缺陷对InN能带结构的影响；不同InN的表面及其与金属、半导体界面结构和电子
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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