SiC异构多型体薄膜的SSMBE制备及其结构的同步辐射表征

半导体异质结构和超晶格材料在半导体器件中有着非常重要的应用。而近几年出现的一种新型的由具有不同晶体结构的同种材料构成的异构多型体结构体系则是一种极具应用潜力的新型异质（构）结构和超晶格体系。对SiC异构多型体结构材料的研究，不仅在基础研究上具有重要意义，而且在实际应用中也具有重要价值。本课题将利用固体源分子束外延（SSMBE）生长技术，通过控制生长条件，探索SiC单晶薄膜和异构多型体结构薄膜生长的工艺条件，在Si、SOI或SiC衬底上制备具有不同晶型的SiC异构多型体结构薄膜。利用同步辐射和其它常规实验技术对制备的样品进行原位和非原位的结构表征及光电特性测量，从而揭示这种新型异构多型体结构材料的界面形成、界面原子和电子结构及其对SiC光电特性的影响。