SiC表面石墨烯的外延生长及其界面结构的同步辐射表征

石墨烯（Graphene）是近几年新发现的由六边形网格形成的二维碳平面材料。由于它在电学特性方面具有许多优良性质，从而在纳米电子学和自旋电子学元器件的制备以及大规模集成纳电子电路的设计中有重要应用。本课题打算利用我们已有的超高温分子束外延设备，使用高温退火或高温退火并辅助C束流的方法，通过控制生长条件、优化生长工艺，在SiC表面外延生长结晶性能良好、层数可控的单层或多层石墨烯样品。利用各种实验技术，特别是同步辐射实验技术对制备的样品进行原位或非原位的结构表征，从而揭示石墨烯在SiC表面的形成和界面结构以及界面对石墨烯电子结构的影响。本课题的研究，不仅在基础研究上具有重要意义，而且在实际应用中也具有重要价值。