半导体异质结构材料的场发射枪透射电子显微学研究

半导体异质结构材料在微电子学和光电子学中有极其重要的应用前景。本项目用场发射枪透射电镜对不同剂量，不同退火温度的质子注入形成的缺陷埋层硅材料进行了分辨电子显微学，电子衍射，会聚束电子衍射，电子能量损失谱，电子能量过滤成象的研究，分析表明缺陷绝缘层由空洞和联结空洞的位错网组成，空洞内表面有氧和碳的分布，说明缺陷层有着很好的吸附表层单晶硅中的碳和氧等杂质的作用，大大降低表层单晶硅中的杂质，提高了硅单晶的完整度。本项目还对InGaAs/GaAs半导体量子点样品中的晶体缺陷进行了研究。通过高分辨透射电子显微学的研究发现在InGaAs外延层和GaAs基体的界面上的失配位错是环绕量子点的位错圈。