高分辨电子显微像的图像处理

建立了测定原子分辩率晶体缺陷的新方法。从一幅场发射高分辩电子显微像出发，无需结合电子衍射信息，经过解卷处理，即可清晰分辩晶体缺陷区的单个原子。用此方法研究了Ge Si外延膜与衬底Si之间的缺陷，得到了60°位错分解为两个不全位错，其间夹着一片层错的原子分辩率图像。发展了本项目申请人等所建立的测定晶体结构的电子晶体学二步图像处理方法，对校正动力学电子衍射效应做了深入的研究，对解卷处理中貌似多解的现象进行了深入细致的分析，确立了挑选真解的方法，改进了调制结构的解卷和相位外推步骤，在此基础上测定了四个微小晶体的未知结构，其中两个是高温超导化合物和一个与高温超导有关的化合物，有一个公度和一个无公度调制结构。