面向SoC高温老化测试的靶向化矢量优化生成与测试调度方法研究

老化测试是芯片产品早期筛选的有效手段，对提高产品可靠性具有重要作用。采用老化炉的传统芯片高温老化测试方法存在以下不足：①测试能耗较高；②对芯片温度的控制精度有限，实际芯片的环境温度与芯片在炉体内的位置有关；③这种施加环境温度的方式是基于"芯片温度处处一致"的假设。然而实际芯片上存在"热点"，与假设并不相符。.本课题将本为缺点的高测试功耗反用于加热芯片，提出一种新型SoC芯片老化测试方法。课题在分析测试矢量热特征的基础上，通过矢量生成与优化控制矢量的位特征，通过测试调度控制矢量施加时间，可满足SoC老化测试对温度与时间的要求。本思路的特色在于：①不但可进行"热点"模拟，而且可使并行老化测试时不同模块被控制于不同温度，提高老化测试精度；②节省能源，降低对老化测试的设备要求。本课题可望在具备温度靶向能力的ATPG、温度感知的测试调度等问题的研究中做出创新成果。

本项目围绕“芯片高温老化”主题，开展了较系统的研究工作。（1）在测试矢量优化方面，分静态老化和动态老化两种情况研究了测试矢量优化选择方法，并研究了面向老化需求的输入矢量自动生成算法。（2）在测试调度方面，采用仿生群智能方法，分别设计了功耗敏感和温度敏感的SoC测试调度算法。（3）在芯片功耗控制方面，给出了一种基于分层拷贝压缩的X-Filling策略，设计了一种基于环路自测试架构的测试方法，提出了一种DES加密电路的抗DPA攻击设计方案。（4）在Wafer级老化测试方面，提出了在Wafer的划线槽中内嵌自加热电路的Wafer级老化方案，并采用TSMC 180nm CMOS工艺设计完成一种用于Wafer级老化的无线测试访问端口电路。（5）在存储器测试方面，面向NAND Flash、相变存储器等存储器中的特殊故障模式设计了针对性的测试算法，针对NAND Flash设计了基于振荡环原理的DfT方案，针对SRAM中的多bit软错误设计了一种可纠最多4位错的BCH短截码。.基于以上成果，共发表论文16篇，申请专利3项，其中1项国际PCT专利，1项国家发明专利已经获得授权。项目资助书中的论文、专利考核指标已经全面完成。.项目共培养博士研究生1名，硕士研究生16名，其中已有12名硕士生顺利毕业。项目资助书中人才培养方面的考核指标已经超额完成。.项目经费单独列账，资金支出符合相关财务规定。综上，本项目已经达到项目资助书的各项指标要求。