6H碳化硅中辐照诱生缺陷结构和深能级态研究

通过深能级瞬态谱、光致发光、和正电子湮灭等技术，选用当前质量最好的半导体碳化硅材料，采用电子、中子和离子注入等辐照源，对碳化硅中辐照诱生缺陷的产生、结构、深能级态及热稳定性等作较为系统、深入的研究。其结果在碳化硅中点缺陷物理研究方面具有重要的学术意义，并在器件研制和器件的抗辐照加固方面有一定应用前景。